功能描述:IGBT 晶体管 900V/15A/w/FRD
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
配置:
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:2.3 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:150 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:187 W
最大工作温度:
封装 / 箱体:TO-247
封装:Tube
SGF23N60UF
SGF23N60UFD
SGF23N60UFD.G23N60
SGF23N60UFDM1TU
SGF23N60UFDTU
SGF23N60UFTU
SGF23V-04-TR
SGF23V-TR
SGF25-TL
SGF25-TR
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